في إعدادات وحدة IGBT، يتم توفير الطاقة المحددة من قبل العميل في رسم CAD: يتم ضبط جميع مصادر الحرارة IGBT بشكل موحد على طبقة مادة IGBT هذه، المصنوعة من السيليكون.

وحدة IGBT مُجهزة على النحو التالي، مع تصنيفات طاقة محددة مُقدمة في مخطط CAD من العميل. يتم ضبط قوة المقاومة إلى ١٢٠ واط.

معلمات التصميم: الطلب
مواصفات وحدة المعالجة المركزية: AMD SP5، 400 واط*2
درجة الحرارة المحيطة (°م): 35
سائل التبريد: 25% PGW (ماء منزوع الأيونات + مثبط + مبيد حيوي)
درجة حرارة مياه المدخل (°م):40
معدل التدفق (لتر/دقيقة): اتصال سلسلة 1.0

مواصفات وحدة المعالجة المركزية: EGS، 385 واط*2
درجة الحرارة المحيطة (°م):35
سائل التبريد: PG25 أو الماء منزوع الأيونات
درجة حرارة مياه المدخل (°م):40
معدل التدفق (لتر/دقيقة): 2.4 متوازي + متسلسل.

يتم تصميم قسم المصدر الحراري للوحة الرئيسية كمقاومة حرارية واحدة.

التصميم الأولي: استخدم نموذجي المروحة اللذين قدمهما العميل، 3004 و3007. تم تبسيط الهيكل قليلاً، وتم استبعاد البراغي والواجهات ومكونات معينة من اللوحة الرئيسية من نطاق المحاكاة.

التصميم الأولي: استخدم نموذجي المروحة اللذين قدمهما العميل، 3004 و3007. تم تبسيط الهيكل قليلاً، وتم استبعاد البراغي والواجهات ومكونات معينة من اللوحة الرئيسية من نطاق المحاكاة.

معلمات المحاكاة:

1. درجة الحرارة المحيطة: 50 درجة مئوية، لا يوجد رياح خارجية.
2. مادة الواجهة الحرارية: 6 وات.
3. تبديد الطاقة الحرارية كما هو موضح في الشكل أدناه.
4. نسبة فتحات التهوية الداخلة والخارجة: 60%.

القطر: 59.5 ملم
المواد: ركيزة الألومنيوم (السلسلة 1)
استهلاك الطاقة الحرارية: 220 واط
درجة الحرارة المحيطة: 35 درجة مئوية

القطر: 59.5 ملم
المواد: ركيزة الألومنيوم (السلسلة 1)
استهلاك الطاقة الحرارية: 220 واط
درجة الحرارة المحيطة: 35 درجة مئوية

وفقًا للمعلمات والنماذج ذات الصلة المقدمة، يمكن التحكم في ارتفاع درجة الحرارة بشكل فعال في حدود 25 درجة مئوية عند استخدام درجة الحرارة المحيطة 16-20 درجة مئوية.