IGBT মডিউল সেটিংসের অধীনে, CAD অঙ্কনে গ্রাহক দ্বারা নির্দিষ্ট শক্তি সরবরাহ করা হয়: সমস্ত IGBT তাপ উৎস সিলিকন দিয়ে তৈরি এই IGBT উপাদান স্তরে সমানভাবে সেট করা আছে।

IGBT মডিউলটি নিম্নরূপে সেট আপ করা হয়েছে, ক্লায়েন্টের কাছ থেকে CAD ডায়াগ্রামে নির্দিষ্ট পাওয়ার রেটিং প্রদান করা হয়েছে। রেজিস্ট্যান্স পাওয়ার 120W তে সামঞ্জস্য করা হয়েছে।

নকশা পরামিতি: অনুরোধ
সিপিইউ স্পেসিফিকেশন: এএমডি এসপি৫, ৪০০ওয়াট*২
পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা (°C): ৩৫
শীতল তরল: ২৫% PGW (ডিওনাইজড ওয়াটার + ইনহিবিটর + বায়োসাইড)
খাঁড়ি জলের তাপমাত্রা (°C):40
প্রবাহ হার (LPM): 1.0 সিরিজ সংযোগ

সিপিইউ স্পেসিফিকেশন: ইজিএস, ৩৮৫ ওয়াট*২
পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা (°C): ৩৫
কুলিং ফ্লুইড: PG25 বা ডিওনাইজড ওয়াটার
খাঁড়ি জলের তাপমাত্রা (°C):40
প্রবাহ হার (LPM): 2.4 সমান্তরাল + সিরিজ।

মেইনবোর্ডের তাপীয় উৎস অংশটি একক তাপীয় প্রতিরোধের মডেল হিসাবে তৈরি করা হয়েছে।

প্রাথমিক নকশা: ক্লায়েন্ট কর্তৃক প্রদত্ত দুটি ফ্যান মডেল, 3004 এবং 3007 ব্যবহার করুন। কেসিংটি কিছুটা সরলীকৃত করা হয়েছে, এবং স্ক্রু, ইন্টারফেস এবং মেইনবোর্ডের কিছু উপাদান সিমুলেশন সুযোগ থেকে বাদ দেওয়া হয়েছে।

প্রাথমিক নকশা: ক্লায়েন্ট কর্তৃক প্রদত্ত দুটি ফ্যান মডেল, 3004 এবং 3007 ব্যবহার করুন। কেসিংটি কিছুটা সরলীকৃত করা হয়েছে, এবং স্ক্রু, ইন্টারফেস এবং মেইনবোর্ডের কিছু উপাদান সিমুলেশন সুযোগ থেকে বাদ দেওয়া হয়েছে।

সিমুলেশন পরামিতি:

১. পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা: ৫০°C, বাইরের বাতাস নেই।
2. তাপীয় ইন্টারফেস উপাদান: 6W।
৩. নীচের চিত্রে দেখানো তাপীয় শক্তি অপচয়।
৪. খাঁড়ি এবং আউটলেট বায়ুচলাচল গর্ত খোলার অনুপাত: ৬০%।

ব্যাস: ৫৯.৫ মিমি
উপাদান: অ্যালুমিনিয়াম সাবস্ট্রেট (সিরিজ ১)
তাপ শক্তি খরচ: 220W
পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা: 35 ℃

ব্যাস: ৫৯.৫ মিমি
উপাদান: অ্যালুমিনিয়াম সাবস্ট্রেট (সিরিজ ১)
তাপ শক্তি খরচ: 220W
পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা: 35 ℃

প্রদত্ত প্রাসঙ্গিক পরামিতি এবং মডেল অনুসারে, ১৬-২০ ডিগ্রি সেলসিয়াস তাপমাত্রা ব্যবহার করলে তাপমাত্রা বৃদ্ধি ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসের মধ্যে কার্যকরভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে।