تحت تنظیمات ماژول IGBT، توان خاص توسط مشتری در نقشه CAD ارائه می‌شود: تمام منابع حرارتی IGBT به طور یکنواخت روی این لایه ماده IGBT، ساخته شده از سیلیکون، قرار گرفته‌اند.

ماژول IGBT به شرح زیر تنظیم شده است، و توان نامی مشخص آن در نمودار CAD از مشتری ارائه شده است. توان مقاومت روی ۱۲۰ وات تنظیم شده است.

پارامترهای طراحی: درخواست
مشخصات پردازنده: AMD SP5، 400 وات * 2
دمای محیط (°C): 35
سیال خنک‌کننده: ۲۵٪ PGW (آب دیونیزه + بازدارنده + بایوساید)
دمای آب ورودی (°C):40
نرخ جریان (LPM): اتصال سری 1.0

مشخصات پردازنده: EGS، 385 وات * 2
دمای محیط (°C):35
سیال خنک کننده: PG25 یا آب دیونیزه
دمای آب ورودی (°C):40
نرخ جریان (LPM): 2.4 موازی + سری.

بخش منبع حرارتی مادربرد به صورت یک مقاومت حرارتی واحد مدل‌سازی شده است.

طراحی اولیه: از دو مدل فن ارائه شده توسط مشتری، ۳۰۰۴ و ۳۰۰۷، استفاده کنید. بدنه کمی ساده‌سازی شده و پیچ‌ها، رابط‌ها و اجزای خاصی از برد اصلی از محدوده شبیه‌سازی حذف شده‌اند.

طراحی اولیه: از دو مدل فن ارائه شده توسط مشتری، ۳۰۰۴ و ۳۰۰۷، استفاده کنید. بدنه کمی ساده‌سازی شده و پیچ‌ها، رابط‌ها و اجزای خاصی از برد اصلی از محدوده شبیه‌سازی حذف شده‌اند.

پارامترهای شبیه‌سازی:

۱. دمای محیط: ۵۰ درجه سانتیگراد، بدون باد خارجی.
۲. جنس رابط حرارتی: ۶ وات.
۳. اتلاف توان حرارتی همانطور که در شکل زیر نشان داده شده است.
۴. نسبت باز شدن سوراخ تهویه ورودی و خروجی: ۶۰٪.

قطر: ۵۹.۵ میلی‌متر
جنس: زیرلایه آلومینیومی (سری ۱)
مصرف برق گرمایشی: ۲۲۰ وات
دمای محیط: 35℃

قطر: ۵۹.۵ میلی‌متر
جنس: زیرلایه آلومینیومی (سری ۱)
مصرف برق گرمایشی: ۲۲۰ وات
دمای محیط: 35℃

طبق پارامترها و مدل‌های مربوطه ارائه شده، هنگام استفاده از دمای محیط ۱۶-۲۰ درجه سانتیگراد، افزایش دما می‌تواند به طور مؤثر در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد کنترل شود.