Dans les paramètres du module IGBT, la puissance spécifique est fournie par le client dans le dessin CAO : Toutes les sources de chaleur IGBT sont placées uniformément sur cette couche de matériau IGBT, en silicium.

Le module IGBT est configuré comme suit, avec des puissances spécifiques fournies dans le schéma CAO fourni par le client. La puissance de la résistance est réglée à 120 W.

Paramètres de conception : demande
Spécifications du processeur : AMD SP5, 400 W*2
Température ambiante (°C) : 35
Liquide de refroidissement : 25 % PGW (eau déionisée + inhibiteur + biocide)
Température de l'eau d'entrée (°C) : 40
Débit (LPM) : connexion série 1,0

Spécifications du processeur : EGS, 385 W * 2
Température ambiante (°C) : 35
Liquide de refroidissement : PG25 ou eau déionisée
Température de l'eau d'entrée (°C) : 40
Débit (LPM) : 2,4 parallèle + série.