IGBT મોડ્યુલ સેટિંગ્સ હેઠળ, ગ્રાહક દ્વારા CAD ડ્રોઇંગમાં ચોક્કસ શક્તિ પૂરી પાડવામાં આવે છે: બધા IGBT ગરમી સ્ત્રોતો સિલિકોનથી બનેલા આ IGBT મટીરીયલ લેયર પર સમાન રીતે સેટ કરેલા છે.

IGBT મોડ્યુલ નીચે મુજબ સેટઅપ થયેલ છે, જેમાં ક્લાયન્ટ તરફથી CAD ડાયાગ્રામમાં ચોક્કસ પાવર રેટિંગ આપવામાં આવ્યા છે. પ્રતિકાર શક્તિ 120W માં ગોઠવાયેલી છે.

ડિઝાઇન પરિમાણો: વિનંતી
સીપીયુ સ્પષ્ટીકરણ: એએમડી એસપી5, 400W*2
આસપાસનું તાપમાન (°C): 35
ઠંડક પ્રવાહી: 25% PGW (ડીયોનાઇઝ્ડ પાણી + અવરોધક + બાયોસાઇડ)
ઇનલેટ પાણીનું તાપમાન (°C):40
ફ્લો રેટ (LPM): 1.0 શ્રેણી જોડાણ

સીપીયુ સ્પષ્ટીકરણ: ઇજીએસ, ૩૮૫ વોટ*૨
આસપાસનું તાપમાન (°C):35
ઠંડક પ્રવાહી: PG25 અથવા ડીયોનાઇઝ્ડ પાણી
ઇનલેટ પાણીનું તાપમાન (°C):40
પ્રવાહ દર (LPM):2.4સમાંતર + શ્રેણી.

મેઇનબોર્ડ થર્મલ સોર્સ સેક્શનને સિંગલ થર્મલ રેઝિસ્ટન્સ તરીકે મોડેલ કરવામાં આવ્યું છે.

પ્રારંભિક ડિઝાઇન: ક્લાયન્ટ દ્વારા પૂરા પાડવામાં આવેલા બે ફેન મોડેલ, 3004 અને 3007 નો ઉપયોગ કરો. કેસીંગ થોડું સરળ બનાવવામાં આવ્યું છે, અને સ્ક્રૂ, ઇન્ટરફેસ અને મેઇનબોર્ડના ચોક્કસ ઘટકોને સિમ્યુલેશન સ્કોપમાંથી બાકાત રાખવામાં આવ્યા છે.

પ્રારંભિક ડિઝાઇન: ક્લાયન્ટ દ્વારા પૂરા પાડવામાં આવેલા બે ફેન મોડેલ, 3004 અને 3007 નો ઉપયોગ કરો. કેસીંગ થોડું સરળ બનાવવામાં આવ્યું છે, અને સ્ક્રૂ, ઇન્ટરફેસ અને મેઇનબોર્ડના ચોક્કસ ઘટકોને સિમ્યુલેશન સ્કોપમાંથી બાકાત રાખવામાં આવ્યા છે.

સિમ્યુલેશન પરિમાણો:

1. આસપાસનું તાપમાન: 50°C, કોઈ બાહ્ય પવન નહીં.
2. થર્મલ ઇન્ટરફેસ સામગ્રી: 6W.
3. નીચેની આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે થર્મલ પાવર ડિસીપેશન.
4. ઇનલેટ અને આઉટલેટ વેન્ટિલેશન હોલ ઓપનિંગ રેશિયો: 60%.

વ્યાસ: ૫૯.૫ મીમી
સામગ્રી: એલ્યુમિનિયમ સબસ્ટ્રેટ (શ્રેણી 1)
ગરમીનો વપરાશ: 220W
આસપાસનું તાપમાન: 35℃

વ્યાસ: ૫૯.૫ મીમી
સામગ્રી: એલ્યુમિનિયમ સબસ્ટ્રેટ (શ્રેણી 1)
ગરમીનો વપરાશ: 220W
આસપાસનું તાપમાન: 35℃

પૂરા પાડવામાં આવેલ સંબંધિત પરિમાણો અને મોડેલો અનુસાર, 16-20℃ ના આસપાસના તાપમાનનો ઉપયોગ કરતી વખતે તાપમાનમાં વધારો 25℃ ની અંદર અસરકારક રીતે નિયંત્રિત કરી શકાય છે.