នៅក្រោមការកំណត់ម៉ូឌុល IGBT ថាមពលជាក់លាក់ត្រូវបានផ្តល់ដោយអតិថិជននៅក្នុងគំនូរ CAD៖ ប្រភពកំដៅ IGBT ទាំងអស់ត្រូវបានកំណត់ស្មើៗគ្នានៅលើស្រទាប់សម្ភារៈ IGBT ដែលធ្វើពីស៊ីលីកុន។

ម៉ូឌុល IGBT ត្រូវបានបង្កើតឡើងដូចខាងក្រោម ជាមួយនឹងការផ្តល់ចំណាត់ថ្នាក់ថាមពលជាក់លាក់នៅក្នុងដ្យាក្រាម CAD ពីអតិថិជន។ ថាមពលធន់ទ្រាំត្រូវបានលៃតម្រូវទៅ 120W ។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្ររចនា៖ សំណើ
ការបញ្ជាក់ស៊ីភីយូ៖ AMD SP5, 400W*2
សីតុណ្ហភាពព័ទ្ធជុំវិញ (°C)៖ ៣៥
វត្ថុរាវត្រជាក់៖ 25% PGW (Deionized Water + Inhibitor + Biocide)
សីតុណ្ហភាពទឹកចូល (°C): 40
អត្រាលំហូរ (LPM): ការតភ្ជាប់ស៊េរី 1.0

លក្ខណៈបច្ចេកទេសរបស់ស៊ីភីយូ៖ EGS, 385W*2
សីតុណ្ហភាពព័ទ្ធជុំវិញ (°C): 35
វត្ថុរាវត្រជាក់៖ PG25 ឬទឹកដេអ៊ីយ៉ុង
សីតុណ្ហភាពទឹកចូល (°C): 40
អត្រាលំហូរ (LPM): 2.4 ប៉ារ៉ាឡែល + ស៊េរី។

ផ្នែកប្រភពកម្ដៅ Mainboard ត្រូវបានយកគំរូតាមភាពធន់នឹងកម្ដៅតែមួយ។

ការរចនាបឋម៖ ប្រើគំរូកង្ហារពីរដែលផ្តល់ដោយអតិថិជនគឺ 3004 និង 3007។ ប្រអប់ត្រូវបានធ្វើឱ្យសាមញ្ញបន្តិច ហើយវីស ចំណុចប្រទាក់ និងសមាសធាតុមួយចំនួននៃ mainboard មិនត្រូវបានរាប់បញ្ចូលពីវិសាលភាពពិសោធនោះទេ។

ការរចនាបឋម៖ ប្រើគំរូកង្ហារពីរដែលផ្តល់ដោយអតិថិជនគឺ 3004 និង 3007។ ប្រអប់ត្រូវបានធ្វើឱ្យសាមញ្ញបន្តិច ហើយវីស ចំណុចប្រទាក់ និងសមាសធាតុមួយចំនួននៃ mainboard មិនត្រូវបានរាប់បញ្ចូលពីវិសាលភាពពិសោធនោះទេ។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រក្លែងធ្វើ៖

1. សីតុណ្ហភាពព័ទ្ធជុំវិញ៖ 50°C គ្មានខ្យល់ខាងក្រៅ។
2. សម្ភារៈចំណុចប្រទាក់កម្ដៅ: 6W ។
3. ការរំសាយថាមពលកំដៅដូចបង្ហាញក្នុងរូបខាងក្រោម។
4. សមាមាត្រនៃការបើករន្ធខ្យល់ចូល និងច្រកចេញ: 60% ។

អង្កត់ផ្ចិត៖ ៥៩.៥ ម។
សម្ភារៈ: ស្រទាប់ខាងក្រោមអាលុយមីញ៉ូម (ស៊េរី 1)
ការប្រើប្រាស់ថាមពលកំដៅ: 220W
សីតុណ្ហភាពព័ទ្ធជុំវិញ: 35 ℃

អង្កត់ផ្ចិត៖ ៥៩.៥ ម។
សម្ភារៈ: ស្រទាប់ខាងក្រោមអាលុយមីញ៉ូម (ស៊េរី 1)
ការប្រើប្រាស់ថាមពលកំដៅ: 220W
សីតុណ្ហភាពព័ទ្ធជុំវិញ: 35 ℃

យោងតាមប៉ារ៉ាម៉ែត្រពាក់ព័ន្ធនិងម៉ូដែលដែលបានផ្តល់ការកើនឡើងសីតុណ្ហភាពអាចត្រូវបានគ្រប់គ្រងយ៉ាងមានប្រសិទ្ធភាពក្នុងរង្វង់ 25 ℃នៅពេលប្រើសីតុណ្ហភាពព័ទ្ធជុំវិញ 16-20 ℃។