IGBT moduli sozlamalari ostida, o'ziga xos quvvat mijoz tomonidan SAPR chizmasida taqdim etiladi: Barcha IGBT issiqlik manbalari kremniydan tayyorlangan ushbu IGBT material qatlamiga bir xilda o'rnatiladi.

IGBT moduli mijozdan SAPR diagrammasida berilgan maxsus quvvat ko'rsatkichlari bilan quyidagi tarzda o'rnatiladi. Qarshilik quvvati 120 Vt ga o'rnatiladi.

Dizayn parametrlari: so'rov
CPU spetsifikatsiyasi: AMD SP5, 400W*2
Atrof-muhit harorati (°C): 35
Sovutish suyuqligi: 25% PGW (deionizatsiyalangan suv + inhibitor + biotsid)
Kirish suvining harorati (°C):40
Oqim tezligi (LPM): 1.0 seriyali ulanish

CPU spetsifikatsiyasi: EGS, 385W * 2
Atrof-muhit harorati (°C):35
Sovutish suyuqligi: PG25 yoki deionlangan suv
Kirish suvining harorati (°C):40
Oqim tezligi (LPM): 2,4 Parallel + Seriya.

Anakartning termal manba qismi bitta termal qarshilik sifatida modellashtirilgan.

Dastlabki dizayn: Mijoz tomonidan taqdim etilgan ikkita fan modelidan foydalaning, 3004 va 3007. Korpus biroz soddalashtirilgan va vintlar, interfeyslar va asosiy plataning ayrim komponentlari simulyatsiya doirasidan chiqarib tashlangan.

Dastlabki dizayn: Mijoz tomonidan taqdim etilgan ikkita fan modelidan foydalaning, 3004 va 3007. Korpus biroz soddalashtirilgan va vintlar, interfeyslar va asosiy plataning ayrim komponentlari simulyatsiya doirasidan chiqarib tashlangan.

Simulyatsiya parametrlari:

1. Atrof-muhit harorati: 50 ° C, tashqi shamol yo'q.
2. Termal interfeys materiali: 6W.
3. Quyidagi rasmda ko'rsatilganidek, issiqlik quvvatining tarqalishi.
4. Kirish va chiqish shamollatish teshiklarining ochilish nisbati: 60%.

Diametri: 59,5 mm
Material: alyuminiy substrat (1-seriya)
Issiqlik quvvati iste'moli: 220 Vt
Atrof-muhit harorati: 35 ℃

Diametri: 59,5 mm
Material: alyuminiy substrat (1-seriya)
Issiqlik quvvati iste'moli: 220 Vt
Atrof-muhit harorati: 35 ℃

Taqdim etilgan tegishli parametrlar va modellarga ko'ra, harorat ko'tarilishi 16-20 ℃ atrof-muhit haroratidan foydalanganda 25 ℃ ichida samarali nazorat qilinishi mumkin.