Báo cáo dự án chống dòng chảy ngược F-YL-00015

Thông tin dự án

Mô-đun IGBT được thiết lập như sau, với các mức công suất cụ thể được cung cấp trong sơ đồ CAD từ khách hàng. Công suất điện trở được điều chỉnh thành 120W.

Vật liệu lớp chip IGBT và độ dẫn nhiệt

Công suất IGBT cụ thể - Điều kiện 1: 42608W

Công suất IGBT cụ thể - Điều kiện 2: 46128W

Thiết kế sơ bộ

- Dung dịch nước etylen glycol 50%, nhiệt độ nước đầu vào là 50 độ, lưu lượng 50L/phút, nhiệt độ nước đầu ra tối đa - Vật liệu của tấm tản nhiệt nước được thiết lập là nhôm 6063.

- Theo thiết kế kênh dòng chảy ban đầu, mối hàn ở giữa dày 0,3mm, khe hở 1,0mm có cánh liên kết.

Kết quả mô phỏng

- Kết quả mô phỏng cho Điều kiện 2: Bản đồ đám mây nhiệt độ mặt trận, nhiệt độ cao nhất của chip IGBT là 139,76 độ và nhiệt độ đáy trung tâm của IGBT này là 92,45 độ.

- Kết quả mô phỏng cho Điều kiện 2: Bản đồ mây nhiệt độ đáy

- Kết quả mô phỏng cho Điều kiện 2: Bản đồ đám mây nhiệt độ tấm làm mát bằng nước, với nhiệt độ cao nhất là 100,13 độ C tại diện tích tiếp xúc của IGBT cuối cùng.

- Bản đồ đám mây nhiệt độ chất lỏng Điều kiện 2, ngày 5 tháng 12 năm 2022, lưu lượng 50 L/phút.

- Bản đồ đám mây áp suất chất lỏng Điều kiện 2, ngày 5 tháng 12 năm 2022, lưu lượng 50 L/phút.

- Kết quả mô phỏng cho Điều kiện 1: Bản đồ đám mây nhiệt độ mặt trận, nhiệt độ cao nhất của chip IGBT là 147,04 độ, và nhiệt độ đáy trung tâm của IGBT này là 110,56 độ.

- Kết quả mô phỏng cho Điều kiện 1: Bản đồ mây nhiệt độ đáy

- Kết quả mô phỏng cho Điều kiện 1: Bản đồ đám mây nhiệt độ tấm làm mát bằng nước, với nhiệt độ cao nhất là 106,12 độ C tại diện tích tiếp xúc của IGBT cuối cùng.

- Bản đồ đám mây nhiệt độ chất lỏng điều kiện 1, 20221206, lưu lượng 50 L/phút.

- Bản đồ đám mây áp suất chất lỏng điều kiện 1, 20221206, lưu lượng 50 L/phút.